温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ15DC02KDHXTMA1
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：互补P + N沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 共漏极。 雪崩额定。 工作温度175℃。 根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。 根据IEC61246-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- 商品编号
- C3279308
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A；5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V；55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@110uA；1.1V@110uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V；2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF；315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF；16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF；114pF |
相似推荐
其他推荐
- BSZ040N06LS5
- BSZ037N06LS5ATMA1
- BSZ068N06NSATMA1
- ISZ065N03L5SATMA1
- BSZ0902NSIATMA1
- BSZ018NE2LSATMA1
- BSZ0503NSIATMA1
- ISC010N06NM5ATMA1
- BSC019N08NS5ATMA1
- ISC009N06LM5ATMA1
- IQE050N08NM5ATMA1
- IQE030N06NM5ATMA1
- BSL214NL6327
- BSL606SNH6327XTSA1
- BSL202SNH6327
- BSL806NL6327
- IQE065N10NM5CGATMA1
- IQE030N06NM5CGATMA1
- IQE050N08NM5CGATMA1
- IPL60R060CFD7AUMA1
- IPL60R095CFD7AUMA1