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BSZ110N08NS5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:51A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC认证，适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 扩大源极互连，提高焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ110N08NS5ATMA1
- 商品编号
- C3279301
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@22uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品特性
- 双N沟道
- 增强型模式
- 超逻辑电平（额定1.8V）
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅；符合RoHS标准
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