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BSZ520N15NS3GATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:21A
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- 描述
- 特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ520N15NS3GATMA1
- 商品编号
- C3279286
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@35uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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