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ISZ230N10NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
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- 描述
- 特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ230N10NM6ATMA1
- 商品编号
- C3279290
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@13uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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