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IMBG120R045M1HXTMA1
1200V SiC 沟槽 MOSFET 与 .xT 互连技术
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- 描述
- 特性：非常低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R045M1HXTMA1
- 商品编号
- C3279262
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |
- IMBG120R140M1HXTMA1
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- IPB180N04S400ATMA1
- IPB160N04S203
- IPB180N10S402ATMA1
- IPB240N03S4LR9ATMA1
- IPB180N04S401
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- IPZ40N04S5L2R8
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- BSZ100N03MSGATMA1
- BSZ110N06NS3GATMA1
- BSZ520N15NS3GATMA1
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- ISZ0804NLSATMA1
- ISZ034N06LM5ATMA1
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- IAUZ30N06S5L140ATMA1
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