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BSZ900N20NS3GATMA1

1个N沟道耐压:200V 电流:15.2A

描述: 特性：针对直流-直流转换进行优化。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。低导通电阻 RDS(on)。150℃ 工作温度。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSZ900N20NS3GATMA1
商品编号: C3279283
商品封装: TSDSON-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.579克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。

商品特性

~~- 超快体二极管-极高的换相鲁棒性-由于极低的品质因数 Rdson*Qa 和 Eoss,损耗极低-易于使用/驱动,采用无卤模塑料封装-通过工业认证(J-STD20 和 JESD22)-无铅电镀,无卤模塑料(PG-TO252 除外)

应用领域

650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级，例如用于 PC 电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	15.2A
	导通电阻(RDS(on))	77mΩ@10V,7.6A
	耗散功率(Pd)	62.5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@30uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	920pF
	反向传输电容(Crss)	5.2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	69pF