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BSZ100N03MSGATMA1

1个N沟道耐压:30V 电流:39A

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描述: 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。用于高频开关电源的低FOMQsw。 100%雪崩测试。 N沟道。在Vgs = 4V时极低的导通电阻Rds(on)。出色的栅极电荷xRds(on)乘积（FOM）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。优越的热阻。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSZ100N03MSGATMA1
商品编号: C3279284
商品封装: TSDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品参数

商品概述

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势，同时具备出色的硬换相鲁棒性。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
低FOMQsw,适用于高频开关电源
经过100%雪崩测试
N沟道
在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数FOM)优异
符合JEDEC标准,适用于目标应用
热阻性能优越
无铅镀层;符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21标准,无卤

应用领域

软开关拓扑
移相全桥 (ZVS)、LLC应用 - 服务器
电信
电动汽车充电
太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	44A
	导通电阻(RDS(on))	11.4mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	30W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.7nF
	反向传输电容(Crss)	27pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	590pF