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IPB160N04S203实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB160N04S203

1个N沟道 耐压:40V 电流:160A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性:N 通道。 增强模式。 汽车 AEC Q101 认证。 MSL1 可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。 绿色封装(无铅)。 超低导通电阻 Rds(on)。 100% 雪崩测试
商品型号
IPB160N04S203
商品编号
C3279270
商品封装
TO-263-7-3​
包装方式
编带
商品毛重
2.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)170nC@10V
输入电容(Ciss)5.3nF
反向传输电容(Crss)580pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.15nF

商品概述

650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管,可用于 PFC 和谐振开关拓扑,如 ZVS 移相全桥和 LLC 拓扑。

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 符合汽车级AEC Q101标准
  • 潮湿敏感度等级1级,最高峰值回流温度260°C
  • 工作温度达175°C
  • 环保封装(无铅)
  • 超低导通电阻Rds(on)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 单向和双向 DC-DC 转换器
  • 车载电池充电器

数据手册PDF