IPB065N15N3GATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:130A
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- 描述
- 特性:Q ' 3 81>>5< >? B=1< <5F5<。 Q H3 5<<5>D 71D5 3 81B75 × RDS(on) @B? 4E3 D ( &。 Q .5BI <? G ? > B5C9CD1>3 5 RDS(on)。 Q 175 °C ? @5B1D9>7 D5=@5B1DEB5
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB065N15N3GATMA1
- 商品编号
- C3279254
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.633333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@270uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
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