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IPB180N06S4H1ATMA2
1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 超低导通电阻RDS(on)
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 商品编号
- C3279256
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 270nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.36nF |
商品特性
- 最低优值 RON × Qg
- 超低栅极电荷
- 极高 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准；模塑料无卤
- 符合 JEDEC 工业级应用要求
应用领域
- 硬开关和软开关开关电源拓扑-适用于 ATX、笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD 电视的连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC)-适用于 ATX、笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD 电视的脉宽调制 (PWM)
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