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IPB036N12N3GATMA1
1个N沟道 耐压:120V 电流:180A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB036N12N3GATMA1
- 商品编号
- C3279258
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 211nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.76nF |
商品特性
- 适用于高频开关和 DC/DC 转换器
- 具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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