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IPB010N06NATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB010N06NATMA1

1个N沟道 耐压:60V 电流:180A

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描述
特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道,正常电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
商品型号
IPB010N06NATMA1
商品编号
C3279253
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
2.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3.3V@280uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)243nC@10V
输入电容(Ciss)18.75nF
反向传输电容(Crss)260pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)4.25nF

商品特性

  • 针对同步整流进行优化
  • 经过100%雪崩测试
  • 出色的热阻性能
  • N沟道,常电平
  • 针对目标应用符合JEDEC标准
  • 引脚采用无铅电镀;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

数据手册PDF