IPB50R250CP
N沟道,电流:13A,耐压:550V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB50R250CP
- 商品编号
- C3279236
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.52mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷 * RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
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