IPB65R600C6ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R600C6ATMA1
- 商品编号
- C3279185
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.21mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
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