IPB65R600C6ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R600C6ATMA1
- 商品编号
- C3279185
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过JEDEC认证,无铅电镀,采用无卤模塑料
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关脉宽调制(PWM)级
- 谐振开关PWM级,例如用于电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)