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IPB031N08N5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB031N08N5ATMA1
- 商品编号
- C3279162
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@108uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.03nF |
商品特性
~~- 全新革命性高压技术-超低栅极电荷-具备周期性雪崩额定值-具备极高dv/dt额定值-高峰值电流能力-改进的跨导-针对目标应用符合JEDEC标准
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