IPB65R125CFD7ATMA1
650V,电流:12A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R125CFD7ATMA1
- 商品编号
- C3279167
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.694nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超快速体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥 (ZVS)、LLC应用 - 服务器
- 电信
- 电动汽车充电
- 太阳能
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