AUIRF3710ZSTRR
1个N沟道 耐压:100V 电流:59A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF3710ZSTRR
- 商品编号
- C3279172
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.13nF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 直至Tjmax允许重复雪崩
- 无铅，符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
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