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IPB65R110CFD7ATMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:14A
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- 描述
- 最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性结合在一起。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R110CFD7ATMA1
- 商品编号
- C3279177
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@480uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.942nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次融合了C7 GOLD CoolMOS™技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能，为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
商品特性
- C7 Gold在同类产品中具有最佳的品质因数（导通态漏源电阻 * 输出电容能量）和（导通态漏源电阻 * 栅极电荷）。
- 适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）。
- C7 Gold技术在最小的占位面积内实现了同类最佳的导通态漏源电阻。
- TOLL封装内置了第4引脚开尔文源配置，且源极寄生电感低（约1 nH）。
- TOLL封装符合MSL1标准，完全无铅，且引脚带有便于目视检查的凹槽。
- TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合，提高了热性能（热阻）。
应用领域
- 高功率/高性能开关电源（SMPS）的PFC级和PWM级（TTF、LLC），如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。
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