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IPB65R110CFD7ATMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:14A
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- 描述
- 最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性结合在一起。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB65R110CFD7ATMA1
- 商品编号
- C3279177
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.942nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次融合了C7 GOLD CoolMOS™技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能，为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
商品特性
- 超快速体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(ON)
- 降低开关损耗 -RDS(ON)随温度变化的依赖性低
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能
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