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IPB200N25N3G

1个N沟道耐压:250V 电流:64A

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描述: 特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPB200N25N3G
商品编号: C3279153
商品封装: TO-263-3
包装方式: 编带
商品毛重: 1.636克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时的出色鲁棒性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

N沟道,常电平
出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
极低的导通电阻RDS(on)
工作温度达175°C
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
按照IEC61249-2-21标准无卤
非常适合高频开关和同步整流

应用领域

PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC电源、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	250V
	连续漏极电流(Id)	64A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	86nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.1nF
	反向传输电容(Crss)	4pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	395pF