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IPB60R099P7ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
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- 描述
- CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB60R099P7ATMA1
- 商品编号
- C3279155
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 117W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.952nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 648pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品特性
- 由于具有出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关损耗和导通损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性极佳,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使RDS(on)/封装产品相比竞品更具优势
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的谐振开关级
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