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IPB110N20N3LF

1个N沟道耐压:200V 电流:88A

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描述: 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPB110N20N3LF
商品编号: C3279157
商品封装: TO-263-3
包装方式: 编带
商品毛重: 1.58克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

适用于热插拔和电子保险丝应用
极低导通电阻RDS(ON)
宽安全工作区 SOA
N 沟道,常电平
100% 雪崩测试
无铅镀层;符合 RoHS 标准
针对目标应用通过 JEDEC 认证
根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

应用领域

充电器中使用的反激式拓扑结构
适配器中使用的反激式拓扑结构
照明应用中使用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	88A
	导通电阻(RDS(on))	11mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	250W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V
	栅极电荷量(Qg)	76nC@10V
	输入电容(Ciss)	650pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	510pF