IPI65R420CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:8.7A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI65R420CFD
- 商品编号
- C3279148
- 商品封装
- TO-262-3-1
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
-超快体二极管-极高的换相鲁棒性-由于极低的品质因数 Rdson*Qa 和 Eoss,损耗极低-易于使用/驱动,采用无卤模塑料封装-通过工业认证(J-STD20 和 JESD22)-无铅电镀,无卤模塑料(PG-TO252 除外)
应用领域
- 650V CoolMOSTM CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。
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