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SPI11N60C3XKSA1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPI11N60C3XKSA1

1个N沟道 耐压:650V 电流:11A

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商品型号
SPI11N60C3XKSA1
商品编号
C3279137
商品封装
TO-262-3-1​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.9V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)390pF

商品特性

  • 全新革命性高压技术
  • 超低栅极电荷
  • 具备周期性雪崩额定值
  • 具备极高的dv/dt额定值
  • 高脉冲电流能力
  • 改善的跨导
  • PG-TO-220-3-31;-3-111:全绝缘封装(2500 VAC;1分钟)
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 针对目标应用通过JEDEC认证

数据手册PDF