温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD25DP06LMATMA1
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5 V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD25DP06LMATMA1
- 商品编号
- C3279093
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- P沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时导通电阻RDS(ON)极低
- 100% 雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤