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IPD85P04P407ATMA1
1个P沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 特性：P沟道。正常电平。增强模式。通过AEC认证。最高260℃峰值回流温度下达到MSL1等级。工作温度175℃。环保封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD85P04P407ATMA1
- 商品编号
- C3279102
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.28nF |
商品特性
- P沟道 - 常电平 - 增强型
- 符合AEC标准
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 环保封装（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试