温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SPD07N60C3ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.3A
- 描述
- 特性：新的革命性高压技术。TO-251和TO-252封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。超低栅极电荷。具备周期性雪崩额定值。具备极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准，可采用无卤模塑料。完全符合JEDEC工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD07N60C3ATMA1
- 商品编号
- C3279099
- 商品封装
- TO-252-3-313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@350uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |