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IPD30N03S4L14ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD30N03S4L14ATMA1

1个N沟道 耐压:30V 电流:30A

商品型号
IPD30N03S4L14ATMA1
商品编号
C3279080
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))13.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)980pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)250pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,可实现更高效率、降低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 符合汽车级AEC Q101标准
  • 湿敏等级1级,最高峰值回流温度达260°C
  • 工作温度达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 超低导通电阻Rds(on)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级电路。

数据手册PDF