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IPD50N06S4-09
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：N通道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50N06S4-09
- 商品编号
- C3279076
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@34uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.785nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 适用于高频开关和同步整流
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
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