温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD30N08S2L21ATMA1
1个N沟道 耐压:75V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道逻辑电平。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。MSL1等级，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。环保封装（无铅）。超低导通电阻。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD30N08S2L21ATMA1
- 商品编号
- C3279073
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@80uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
相似推荐
其他推荐