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IPD50N06S4L08ATMA2
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：N-channel。 Enhancement mode。 AEC Q101 qualified。 MSL1 up to 260℃ peak reflow。 175℃ operating temperature。 Green Product (RoHS compliant)。 100% Avalanche tested
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50N06S4L08ATMA2
- 商品编号
- C3279072
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.09nF |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 用于LED照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑
- 消费和太阳能应用中的PFC级
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