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IPD18DP10LMATMA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:13.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD18DP10LMATMA1
- 商品编号
- C3279050
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 178mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1040uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
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