温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPD18DP10LMATMA1

1个P沟道耐压:100V 电流:13.9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD18DP10LMATMA1
商品编号: C3279050
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.75克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss，损耗极低
开关损耗Eoss低，热性能出色
快速体二极管
RDS(on)和封装类型多样

应用领域

高密度充电器中使用的零电压开关（ZVS）拓扑
适配器
照明
电机驱动应用

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	13.9A
	导通电阻(RDS(on))	178mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@1040uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	42nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.1nF
	反向传输电容(Crss)	44pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	140pF