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IPD50P03P4L11
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
- 描述
- 特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50P03P4L11
- 商品编号
- C3279058
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@85uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.09nF |
交货周期
订货5-7个工作日购买数量
(100个/圆盘，最小起订量 500 个)个
起订量：500 个100个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交7单
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