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IPD50P03P4L11

1个P沟道耐压:30V 电流:50A

描述: 特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。符合RoHS标准。 100%雪崩测试。用于反向电池保护
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD50P03P4L11
商品编号: C3279058
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.052克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。 CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，能提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且具有出色的可靠性。

商品特性

P沟道 - 逻辑电平 - 增强型
通过AEC认证
最高260°C峰值回流温度,湿度敏感度等级1级
工作温度达175°C
符合RoHS标准
100%雪崩测试
适用于反接电池保护

应用领域

例如计算机、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能等领域的功率因数校正（PFC）级和硬开关 PWM 级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	10.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	58W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	55nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.77nF
	反向传输电容(Crss)	64pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	1.09nF