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IPD80P03P4L07ATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80P03P4L07ATMA1
- 商品编号
- C3279060
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@130uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6nF |
商品概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th，±0.5V的最小V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激式拓扑-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费类应用中的PFC级-太阳能
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