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IPD50N10S3L16
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50N10S3L16
- 商品编号
- C3279057
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；无卤素模塑料
- 超低栅极电荷
- 超低有效电容
应用领域
- 高直流母线电压的工业应用-开关应用(如有源钳位正激电路)
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