SPD07N60C2
电流:7.3A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD07N60C2
- 商品编号
- C3279053
- 商品封装
- TO-252-3-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@350uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。 最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台,专为消费市场中对成本敏感的应用而定制,如充电器、适配器、照明、电视等。 新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
~~- 由于极低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss,损耗极低-出色的热性能-集成ESD保护二极管-低开关损耗(Eoss)-产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
- 例如用于充电器、适配器、照明应用的反激式拓扑结构
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