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IPD60R360P7ATMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:9A

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描述: CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如低振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD60R360P7ATMA1
商品编号: C3279046
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.65克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此生产的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
完全符合 JEDEC 工业应用标准
采用无卤模塑料、无铅镀层

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关脉宽调制（PWM）级
谐振开关 PWM 级，例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	360mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	41W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@0.14mA
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	555pF
	反向传输电容(Crss)	214pF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	10pF