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SPD04N60C3ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：新型革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准，可采用无卤模塑料。 根据JEDEC标准，完全适用于工业应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD04N60C3ATMA1
- 商品编号
- C3279045
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@200uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
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