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IPD096N08N3GATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:73A
- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD096N08N3GATMA1
- 商品编号
- C3279028
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@46uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 652pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。 CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且可靠性卓越。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借一流的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 实现更高效率
- 一流的 RDS(on)/封装比
- 由于设有驱动器源极引脚，便于更好地控制栅极，因此易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）标准，适用于工业级应用
应用领域
- 例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能等领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。
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