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IPD096N08N3GATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD096N08N3GATMA1

1个N沟道 耐压:80V 电流:73A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
IPD096N08N3GATMA1
商品编号
C3279028
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)73A
导通电阻(RDS(on))9.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)2.41nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)652pF

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。 CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势,提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且可靠性卓越。

商品特性

  • 适用于高频开关
  • 针对 DC/DC 转换器优化的技术
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
  • N 沟道,常电平
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅镀层;符合 RoHS 标准
  • 针对目标应用通过 JEDEC 认证
  • 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

应用领域

  • 例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能等领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。

数据手册PDF