IPD60R3K3C6ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:1.7A
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IPD60R3K3C6ATMA1商品编号
C3279031商品封装
TO-252-3包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V,0.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 18.1W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 93pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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