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IPD60R1K4C6ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.2A
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- 描述
- CoolMOS TM 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS TM C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此推出的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R1K4C6ATMA1
- 商品编号
- C3279037
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 28.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@90uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数 RON × Qg
- 超低栅极电荷
- 极高 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
应用领域
- 硬开关开关电源拓扑
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