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IPU80R2K0P7AKMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:1.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R2K0P7AKMA1
- 商品编号
- C3278973
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化
- 用于高频开关电源（SMPS）时，QOSS的品质因数（FOM）极低
- 用于高频开关电源（SMPS）时，FOMsw较低
- 栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）表现出色
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- 热阻性能优越
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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