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IPU80R2K0P7AKMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:1.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU80R2K0P7AKMA1
- 商品编号
- C3278973
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
- 同类最佳的DPAK封装 RDS(on)
- 同类最佳的 V(GS)th 为3V,且 V(GS)th 变化最小,为 \pm 0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 产品组合全面优化
应用领域
- 用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑
- 消费应用和太阳能领域的功率因数校正(PFC)级
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