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SPD18P06PGBTMA1
1个P沟道 耐压:60V 电流:18.6A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dV/dt额定。 175℃工作温度。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD18P06PGBTMA1
- 商品编号
- C3279019
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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