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IPD65R190C7ATMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高效率、降低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R190C7ATMA1
- 商品编号
- C3279022
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg,实现更高效率
- 单位封装的RDS(on)同类最佳
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
应用领域
-例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级电路。
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