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IPD95R2K0P7ATMA1
1个N沟道 耐压:950V 电流:4A
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- 描述
- 特性：同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS,typ，降低了Ωg、Cgin和Cgin。 同类最佳的DPAK封装RDS(on)。 同类最佳的VGS(th)为3V，且VGS(th)变化最小，为±0.5V。 集成齐纳二极管ESD保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用：推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。 也适用于消费和太阳能应用中的PFC级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD95R2K0P7ATMA1
- 商品编号
- C3279009
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th和±0.5V的最小V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 一流的CoolMOSTM品质和可靠性
- 完全优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑
- 消费和太阳能应用中的PFC级
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