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IPD95R2K0P7ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD95R2K0P7ATMA1

1个N沟道 耐压:950V 电流:4A

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描述
特性:同类最佳的品质因数RDS(on) * EGS,typ,降低了Ωg、Cgin和Cgin。 同类最佳的DPAK封装RDS(on)。 同类最佳的VGS(th)为3V,且VGS(th)变化最小,为±0.5V。 集成齐纳二极管ESD保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用:推荐用于LED照明的反激拓扑、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源。 也适用于消费和太阳能应用中的PFC级
商品型号
IPD95R2K0P7ATMA1
商品编号
C3279009
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.725克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@80uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)330pF
反向传输电容(Crss)81pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)5pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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