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IPD135N08N3GATMA1

1个N沟道耐压:80V 电流:45A

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描述: 特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化的技术。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD135N08N3GATMA1
商品编号: C3279014
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.595克(g)

商品参数

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的加工技术，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。