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IPD135N08N3GATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:45A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD135N08N3GATMA1
- 商品编号
- C3279014
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@33uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 469pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 469pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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