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IPU60R2K1CEAKMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:3.7A

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描述: CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPU60R2K1CEAKMA1
商品编号: C3278986
商品封装: TO-251-3
包装方式: 管装
商品毛重: 0.64克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可应用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的降本性能比。

商品特性

~~- 由于极低的品质因子Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用

应用领域

功率因数校正（PFC）级、硬开关脉宽调制（PWM）级和谐振开关级，例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	3.7A
	导通电阻(RDS(on))	2.1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	38W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@0.06mA
	栅极电荷量(Qg)	6.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	140pF
	反向传输电容(Crss)	30pF@480V
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	12pF