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IPD70R360P7SAUMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:12.5A
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70R360P7SAUMA1
- 商品编号
- C3279007
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.521克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@150uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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