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IPD025N06NATMA1

1个N沟道耐压:60V 电流:90A

描述: 特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD025N06NATMA1
商品编号: C3279005
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.37克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时具有出色的鲁棒性以及优秀的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

针对同步整流进行优化
经过100%雪崩测试
卓越的热阻性能
N沟道,常电平
针对目标应用符合JEDEC标准
引脚采用无铅电镀;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤素

应用领域

用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	90A
	导通电阻(RDS(on))	2.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	167W
	阈值电压(Vgs(th))	3.3V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	83nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.5nF
	反向传输电容(Crss)	96pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.5nF