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IPW65R041CFD7XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:50A
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- 描述
- 最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R041CFD7XKSA1
- 商品编号
- C3278907
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.975nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 超快速体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(ON)
- 降低开关损耗 -RDS(ON)随温度变化的依赖性低
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 - 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能
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