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IPW65R060CFD7XKSA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:23A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW65R060CFD7XKSA1
- 商品编号
- C3278908
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 171W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.288nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.231nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
商品特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(ON)
- 降低开关损耗 -RDS(ON)随温度的变化小
应用领域
- 适用于软开关拓扑
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化 —— 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能
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